Dutch

English

French

German

Italian

Russian

Spanish

Portuguese

Dutch

Greek

Japanese

Korean

Arabic

Hindi

Turkish

Indonesian

Vietnamese

Thai

Bengali

Persian

Polish

Vraag een offerte aan |

Thuis Producten

Hoogvermogend halfgeleider

China Hoogvermogend halfgeleider

Laaglekkage, hoogvermogen, halfgeleiders, discrete apparaten, verbeterde energie-efficiëntie

Verbindingscapacitieve weerstand:Laag aansluitingsvermogen

Spanning:Hoogspanning

Efficiëntie:Hoge efficiëntie
N Hoogspanningssemiconductor TO-251 met verbeterde thermische prestaties

Efficiëntie:Hoge efficiëntie

Hoog licht:Hoogspanningsvermogensemiconductoren worden gekenmerkt door hun vermogen om hoge spanningen en strom

Verbindingscapacitieve weerstand:Laag aansluitingsvermogen
Hoogspanning Tolerantie Kracht Halve Leider TO-220F Voor Vermogen Converter

Efficiëntie:Hoge efficiëntie

Type:N

Verbindingscapacitieve weerstand:Laag aansluitingsvermogen
Hoogtemperatuurweerstand krachtsemiconductor met lage verbindingscapaciteit

Type:N

Temperatuurbestendigheid:Hoogtemperatuurweerstand

Hoog licht:Hoogspanningsvermogensemiconductoren worden gekenmerkt door hun vermogen om hoge spanningen en strom

Page 3 of 3|< << 1 2 3 >> >|

Bladeren door rubrieken：

Over

Siliciumcarbide SBD: Kracht siliciumcarbide Schottky barrière diodes voor elektrische oven; High Breakdown Voltage Silicon Carbide SBD voor datacenters; Industrieel siliciumcarbide SBD multifunctionele machine voor het lassen

IGBT-omvormer: 15A 1200V-omvormer IGBT-kortsluiting Duurt 10 μS voor motorrijder; Betrouwbare en robuuste omvormer IGBT-verbeteringsmodus N-kanaal; Oplaadstapel IGBT-transistor voor OBC-toepassingen

LAAT BERICHT ACHTER

Privacybeleid | China Goed Kwaliteit IGBT-omvormer Leverancier. © 2024 - 2025 inverterigbt.com. All Rights Reserved.

vr