Thuis Producten

Hoogvermogend halfgeleider

China Hoogvermogend halfgeleider

11A 650V 340mΩ TO-252 MOSFET met hoog vermogen

Identificatie:11A

VDSS:650 V

RDSON-type VGS=10V:340mΩ
Hoogspannings-N-type hoogvermogen halfgeleider met een laag lekkage

Temperatuurbestendigheid:Hoogtemperatuurweerstand

Type:N

Hoog licht:Hoogspanningsvermogensemiconductoren worden gekenmerkt door hun vermogen om hoge spanningen en strom
TO-220F Metaaloxide halfgeleider veld-effect transistors 15A 600V 274mΩ

Identificatie:15A

VDSS:600 V

RDSON-type VGS=10V:274 mΩ
Low Switching High Power Semiconductor 15A 650V 238mΩ Voor DC-DC-omvormers

Identificatie:15A

Afvoerkanaal-bronvoltage:650 V

RDSON-type VGS=10V:238 mΩ
20A 650V 150mΩ Koel MOS voor schakelmodusvoorraden

Identificatie:20A

Afvoerkanaal-bronvoltage:650 V

RDSON-type VGS=10V:150mΩ
19A 600V 160mΩ Hoogvermogend halfgeleider voor industriële energievoorzieningen

Identificatie:19A

Afvoerkanaal-bronvoltage:600 V

RDSON-type VGS=10V:160 mΩ
N-kanaal hoogspanningssemiconductor met een lage capaciteit van de knooppunt met lekkage

Type:N

Temperatuurbestendigheid:Hoogtemperatuurweerstand

Verbindingscapacitieve weerstand:Laag aansluitingsvermogen
TO-252 Oppervlak gemonteerd hoogvermogen halfgeleider 5A 500V 1.33Ω Voor haardroger

Identificatie:5A

Afvoerkanaal-bronvoltage:500 V

RDSON-type VGS=10V:1.33Ω
N-type hoogspanningstransistor TO-220F met lage verbindingscapaciteit

Temperatuurbestendigheid:Hoogtemperatuurweerstand

Verbindingscapacitieve weerstand:Laag aansluitingsvermogen

Hoog licht:Hoogspanningsvermogensemiconductoren worden gekenmerkt door hun vermogen om hoge spanningen en strom
N-kanaal hoogvermogend halfgeleider TO-220F met hoge temperatuurweerstand

Efficiëntie:Hoge efficiëntie

Verbindingscapacitieve weerstand:Laag aansluitingsvermogen

Hoog licht:Hoogspanningsvermogensemiconductoren worden gekenmerkt door hun vermogen om hoge spanningen en strom
Hoog vermogen laag lek N-kanaal IGBT hoogtemperatuurbestendig

Spanning:Hoogspanning

Hoog licht:Hoogspanningsvermogensemiconductoren worden gekenmerkt door hun vermogen om hoge spanningen en strom

Leckage:Lage Lekkage
TO-247 N-kanaal hoogvermogend halfgeleider voor het opladen van een ladingstapel

Efficiëntie:Hoge efficiëntie

Verbindingscapacitieve weerstand:Laag aansluitingsvermogen

Temperatuurbestendigheid:Hoogtemperatuurweerstand

Page 1 of 3|< << 1 2 3 >> >|

Bladeren door rubrieken：

Hoogvermogend halfgeleider

China Hoogvermogend halfgeleider

11A 650V 340mΩ TO-252 MOSFET met hoog vermogen

Hoogspannings-N-type hoogvermogen halfgeleider met een laag lekkage

TO-220F Metaaloxide halfgeleider veld-effect transistors 15A 600V 274mΩ

Low Switching High Power Semiconductor 15A 650V 238mΩ Voor DC-DC-omvormers

20A 650V 150mΩ Koel MOS voor schakelmodusvoorraden

19A 600V 160mΩ Hoogvermogend halfgeleider voor industriële energievoorzieningen

N-kanaal hoogspanningssemiconductor met een lage capaciteit van de knooppunt met lekkage

TO-252 Oppervlak gemonteerd hoogvermogen halfgeleider 5A 500V 1.33Ω Voor haardroger

N-type hoogspanningstransistor TO-220F met lage verbindingscapaciteit

N-kanaal hoogvermogend halfgeleider TO-220F met hoge temperatuurweerstand

Hoog vermogen laag lek N-kanaal IGBT hoogtemperatuurbestendig

TO-247 N-kanaal hoogvermogend halfgeleider voor het opladen van een ladingstapel

Siliciumcarbide SBD

Kracht siliciumcarbide Schottky barrière diodes voor elektrische oven

High Breakdown Voltage Silicon Carbide SBD voor datacenters

Industrieel siliciumcarbide SBD multifunctionele machine voor het lassen

IGBT-omvormer

15A 1200V-omvormer IGBT-kortsluiting Duurt 10 μS voor motorrijder

Betrouwbare en robuuste omvormer IGBT-verbeteringsmodus N-kanaal

Oplaadstapel IGBT-transistor voor OBC-toepassingen