Bericht versturen

Dutch

English

French

German

Italian

Russian

Spanish

Portuguese

Dutch

Greek

Japanese

Korean

Arabic

Hindi

Turkish

Indonesian

Vietnamese

Thai

Bengali

Persian

Polish

Vraag een offerte aan |

Thuis Producten Hoge Machtsmosfet

N-kanaal versterkingsmodus MOSFET 11A 400V voor adapter en oplader

Alle producten

IGBT-omvormer
(37)

IGBT met hoog vermogen
(38)

Hoge Machtsmosfet
(38)

Super Junction MOSFET
(48)

Laagspannings-MOSFET
(81)

Hoogspanningsmosfet
(54)

Schottky-Barrièredioden
(80)

Snelhersteldioden
(49)

Lage VF Schottky
(65)

Hoogvermogend halfgeleider
(28)

Siliciumcarbide MOSFET
(21)

Siliciumcarbide SBD
(21)

Beste Producten

Industrieel hoogvermogen MOSFET Warmteafvoer Metalen oxide Mosfet

Industrieel hoogvermogen MOSFET Warmteafvoer Metalen oxide Mosfet

500V N-kanaal hoogvermogen MOSFET Multifunctionele metaaloxide halfgeleider

500V N-kanaal hoogvermogen MOSFET Multifunctionele metaaloxide halfgeleider

Hoogstroom 600 V MOSFET voor besturing en brugcircuits

Hoogstroom 600 V MOSFET voor besturing en brugcircuits

Certificaat

China Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd certificaten

China Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd certificaten

Klantenoverzichten

Geweldig product, precies zoals beschreven, snelle verzending en geweldige service.

—— Minifux1

zeer snel verzenden, goed verpakt en deze kabels zijn zeker van hoge kwaliteit! heb nergens anders gekocht en zal mijn kabels blijven krijgen van deze verkoper! AAA+++

—— Maharashtra

Uitstekende service zoals gewoonlijk.

—— Sophia.

Ik ben online Chatten Nu

N-kanaal versterkingsmodus MOSFET 11A 400V voor adapter en oplader

N-kanaal versterkingsmodus MOSFET 11A 400V voor adapter en oplader

N-kanaal versterkingsmodus MOSFET 11A 400V voor adapter en oplader

Grote Afbeelding : N-kanaal versterkingsmodus MOSFET 11A 400V voor adapter en oplader

Productdetails:

Plaats van herkomst:	China
Merknaam:	Lingxun
Certificering:	IATF16949,ISO9001,ISO14001,ROHS,REACH
Modelnummer:	CS11N40A
Document:	About Lingxun(1).pdf

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal:	Volgens uw bestelvereiste
Prijs:	According to your order requirement
Verpakking Details:	Bevestig het pakket op basis van deelnummer
Levertijd:	Volgens uw bestelvereiste
Betalingscondities:	T/T
Levering vermogen:	600KK/jaar

Contact

N-kanaal versterkingsmodus MOSFET 11A 400V voor adapter en oplader

beschrijving

Resistentie:	Weinig weerstand	Werktemperatuurbereik:	-55°C aan +150°C
Categorie:	MOSFET	Kracht:	Hoge macht
Pakkettype:	Aan-220AB	MPN:	CS11N40A1
Rdson-type:	0.50Ω	Identificatie:	11A
VDSS:	400 V
Markeren:	Verbeteringsmodus MOSFET 11A , Verbeteringsmodus MOSFET 400V , Adapter N-kanaal MOSFET

N-kanaal versterkingsmodus MOSFET 11A 400V voor adapter en oplader

Hoofdkenmerken

ID:11A

VDSS: 400 V

RDSON-typ (@VGS=10V):0.5Ω

GESCHIEDENIS

Snel schakelen

Laag ON-weerstand

Laag heklading

100% enkelvoudige plus lawine-energie-test

GESCHIEDENIS

• Snel wisselen

• lage ON-weerstand

• Laag toegangsbedrag

• 100% enkelvoudige impuls lawine-energie-test

GEBRUIKEN

Schakelcircuit van adapter en oplader.

Mechanische gegevens

• Doos: gevormd kunststof

• Montagepositie: elk

• Gevormd kunststof: UL ontvlambaarheidsklassificatie 94V-0

• Loodvrij in overeenstemming met de EU-richtlijn RoHS 2011/65/EU

• Temperatuur van het soldeerbad maximaal 275°C, 10 seconden per JESD 22-B106

N-kanaal versterkingsmodus MOSFET 11A 400V voor adapter en oplader 0

N-kanaal versterkingsmodus MOSFET 11A 400V voor adapter en oplader 1

N-kanaal versterkingsmodus MOSFET 11A 400V voor adapter en oplader 2

N-kanaal versterkingsmodus MOSFET 11A 400V voor adapter en oplader 3

label:

Super Junction MOSFET,

N Kanaalmosfet,

Cool MOS.

Contactgegevens

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Contactpersoon: Mrs. Qinqin

Tel.: +8618988720515

Fax: 86-189-8872-0515

Andere Producten

N-type MOSFET-oplossing voor energiebeheer met hoog vermogen voor industriële toepassingen

N-type MOSFET-oplossing voor energiebeheer met hoog vermogen voor industriële toepassingen

Apparatentype: MOSFET

Type: N

Poort-bronvoltage (VGS): ±30V

Materiaal: silicium

5A 650V 780mΩ N Channel Super Junction MOSFET TO-252 Op het oppervlak gemonteerd

5A 650V 780mΩ N Channel Super Junction MOSFET TO-252 Op het oppervlak gemonteerd

Identificatie: 5A

VDSS: 650 V

RDSON-type VGS=10V: 780mΩ

Kenmerken: Laag RDS ((ON) & FOM,Extreem laag schakelverlies,Uitstekende stabiliteit en uniformiteit

Warmteverwijdering MOSFET-transistoren met hoog vermogen

Warmteverwijdering MOSFET-transistoren met hoog vermogen

Type: N

Land van herkomst: China, gloednieuw, niet gebruikt

Apparatentype: MOSFET

Resistentie: Weinig weerstand

7A 650V 525mΩ TO-220F Koel MOS voor ononderbroken stroomvoorziening

7A 650V 525mΩ TO-220F Koel MOS voor ononderbroken stroomvoorziening

Identificatie: 7A

VDSS: 650 V

RDSON-type VGS=10V: 520mΩ

Toepassingen: Schakelmodus stroomvoorziening ((SMPS), Ononderbroken stroomvoorziening ((UPS), Stroomfactorcorrecti

Multifunktioneel hoogvermogen MOSFET TO-247 voor ononderbroken stroomvoorziening

Multifunktioneel hoogvermogen MOSFET TO-247 voor ononderbroken stroomvoorziening

Pakkettype: TO-247

Apparatentype: MOSFET

Kracht: Hoge macht

Technologie: Planner

Over

Siliciumcarbide SBD: Kracht siliciumcarbide Schottky barrière diodes voor elektrische oven; High Breakdown Voltage Silicon Carbide SBD voor datacenters; Industrieel siliciumcarbide SBD multifunctionele machine voor het lassen

IGBT-omvormer: 15A 1200V-omvormer IGBT-kortsluiting Duurt 10 μS voor motorrijder; Betrouwbare en robuuste omvormer IGBT-verbeteringsmodus N-kanaal; Oplaadstapel IGBT-transistor voor OBC-toepassingen

LAAT BERICHT ACHTER

Privacybeleid | China Goed Kwaliteit IGBT-omvormer Leverancier. © 2024 - 2025 inverterigbt.com. All Rights Reserved.

vr